SI1958DH-T1-E3

Paramètre produit

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série

TrenchFET®

Type FET

2 N-Channel (Dual)

emballage

Digi-Reel®

Domaine d’action prioritaire

Logic Level Gate

Statut partiel

Obsolete

Puissance - Max

1.25W

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Numéro de Base

SI1958

Vgs(th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

205mOhm @ 1.3A, 4.5V

Boîtier du fournisseur

SC-70-6 (SOT-363)

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

3.8nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

20V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

105pF @ 10V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

1.3A