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SI1900DL-T1-GE3
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
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SI1900DL-T1-GE3

MOSFET 2 N-CH 30V SC70-6


fabricant: Vishay / Siliconix

Fiche technique: SI1900DL-T1-GE3

prix:

USD $0.21

Stock: 98 pcs

Paramètre produit

série
TrenchFET®
Type FET
2 N-Channel (Dual)
emballage
Tape & Reel (TR)
Domaine d’action prioritaire
Standard
Statut partiel
Active
Puissance - Max
300mW, 270mW
Type de montage
Surface Mount
Paquet/dossier
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
480mOhm @ 590mA, 10V
Boîtier du fournisseur
SC-70-6
Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs
1.4nC @ 10V
Tension du Drain vers la Source (Vdss)
30V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max
-
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
630mA (Ta), 590mA (Ta)

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