Menu Navigation

SI1902DL-T1-E3
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
thumb-0

SI1902DL-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6


fabricant: Vishay / Siliconix

Fiche technique: SI1902DL-T1-E3

prix:

USD $0.3

Stock: 23 pcs

Paramètre produit

série
TrenchFET®
Type FET
2 N-Channel (Dual)
emballage
Digi-Reel®
Domaine d’action prioritaire
Logic Level Gate
Statut partiel
Active
Puissance - Max
270mW
Type de montage
Surface Mount
Paquet/dossier
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Numéro de Base
SI1902
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
385mOhm @ 660mA, 4.5V
Boîtier du fournisseur
SC-70-6 (SOT-363)
Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs
1.2nC @ 4.5V
Tension du Drain vers la Source (Vdss)
20V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max
-
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
660mA

Vous pourriez aussi être intéressé