2SK4150TZ-E

Paramètre produit

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série

-

Type FET

N-Channel

emballage

Tape & Reel (TR)

Vgs (Max)

±10V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Obsolete

Type de montage

Through Hole

Paquet/dossier

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Vgs(th) (Max) @ Id

-

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.7Ohm @ 200mA, 4V

Dissipation de puissance (Max)

750mW (Ta)

Boîtier du fournisseur

TO-92

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

3.7nC @ 4V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

250V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

80pF @ 25V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

400mA (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4V