2SK4017(Q)

Paramètre produit

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série

U-MOSIII

Type FET

N-Channel

emballage

Bulk

Vgs (Max)

±20V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Active

Type de montage

Through Hole

Paquet/dossier

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.5A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

20W (Tc)

Boîtier du fournisseur

PW-MOLD2

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

60V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

730pF @ 10V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

5A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V