2SK4016(Q)

Paramètre produit

---

série

-

Type FET

N-Channel

emballage

Bulk

Vgs (Max)

±30V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Obsolete

Type de montage

Through Hole

Paquet/dossier

TO-220-3 Full Pack

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500mOhm @ 6.5A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

50W (Tc)

Boîtier du fournisseur

TO-220SIS

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

62nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

600V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

3100pF @ 25V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

13A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V