62-0203PBF

MOSFET P-CH 12V 16A 8-SO

fabricant: Infineon Technologies

Fiche technique: 62-0203PBF

prix:

USD $0.38

Stock: 0 pcs

Paramètre produit

série

HEXFET®

Type FET

P-Channel

emballage

Tube

Vgs (Max)

±8V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

Statut partiel

Obsolete

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Vgs(th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 16A, 4.5V

Dissipation de puissance (Max)

2.5W (Ta)

Boîtier du fournisseur

8-SO

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

91nC @ 4.5V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

12V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

8676pF @ 10V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

16A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

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