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62-0136PBF

MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC

fabricant: Infineon Technologies

Fiche technique: 62-0136PBF

prix:

USD $0.9

Stock: 47 pcs

Paramètre produit

série

Type FET

N-Channel

emballage

Tube

Vgs (Max)

±20V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

Statut partiel

Obsolete

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

Vgs(th) (Max) @ Id

2.25V @ 250µA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TA)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 19A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

2.5W

Boîtier du fournisseur

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 4.5V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

30V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

3710pF @ 15V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

19A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

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62-0136PBF

Paramètre produit

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