62-0095PBF

Paramètre produit

---

série

-

Type FET

N-Channel

emballage

Tube

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Obsolete

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

-

Vgs(th) (Max) @ Id

2.55V @ 250µA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.4mOhm @ 10A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

2W

Boîtier du fournisseur

-

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

20V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

900pF @ 10V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

10A (Ta), 12A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V