SIZ920DT-T1-GE3

Paramètre produit

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série

TrenchFET®

Type FET

2 N-Channel (Half Bridge)

emballage

Digi-Reel®

Domaine d’action prioritaire

Standard

Statut partiel

Obsolete

Puissance - Max

39W, 100W

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

8-PowerWDFN

Numéro de Base

SIZ920

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.1mOhm @ 18.9A, 10V

Boîtier du fournisseur

8-PowerPair® (6x5)

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

30V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

1260pF @ 15V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

40A