SIZ900DT-T1-GE3

Paramètre produit

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série

TrenchFET®

Type FET

2 N-Channel (Half Bridge)

emballage

Digi-Reel®

Domaine d’action prioritaire

Logic Level Gate

Statut partiel

Obsolete

Puissance - Max

48W, 100W

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

6-PowerPair™

Numéro de Base

SIZ900

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.2mOhm @ 19.4A, 10V

Boîtier du fournisseur

6-PowerPair™

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

30V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

1830pF @ 15V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

24A, 28A