SIZ914DT-T1-GE3

Paramètre produit

---

série

TrenchFET®

Type FET

2 N-Channel (Half Bridge)

emballage

Digi-Reel®

Domaine d’action prioritaire

Logic Level Gate

Statut partiel

Obsolete

Puissance - Max

22.7W, 100W

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

8-PowerWDFN

Numéro de Base

SIZ914

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.4mOhm @ 19A, 10V

Boîtier du fournisseur

8-PowerPair®

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

30V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

1208pF @ 15V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

16A, 40A