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SI7844DP-T1-E3
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
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SI7844DP-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8


fabricant: Vishay / Siliconix

Fiche technique: SI7844DP-T1-E3

prix:

USD $0.9

Stock: 11 pcs

Paramètre produit

série
TrenchFET®
Type FET
2 N-Channel (Dual)
emballage
Digi-Reel®
Domaine d’action prioritaire
Logic Level Gate
Statut partiel
Obsolete
Puissance - Max
1.4W
Type de montage
Surface Mount
Paquet/dossier
PowerPAK® SO-8 Dual
Numéro de Base
SI7844
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 10A, 10V
Boîtier du fournisseur
PowerPAK® SO-8 Dual
Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Tension du Drain vers la Source (Vdss)
30V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max
-
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
6.4A

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