SI7802DN-T1-GE3

Paramètre produit

---

série

TrenchFET®

Type FET

N-Channel

emballage

Digi-Reel®

Vgs (Max)

±20V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Obsolete

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

PowerPAK® 1212-8

Vgs(th) (Max) @ Id

3.6V @ 250µA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

435mOhm @ 1.95A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

1.5W (Ta)

Boîtier du fournisseur

PowerPAK® 1212-8

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

250V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

1.24A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V