SI7530DP-T1-E3

Paramètre produit

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série

TrenchFET®

Type FET

N and P-Channel

emballage

Digi-Reel®

Domaine d’action prioritaire

Logic Level Gate

Statut partiel

Obsolete

Puissance - Max

1.4W, 1.5W

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

PowerPAK® SO-8 Dual

Numéro de Base

SI7530

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75mOhm @ 4.6A, 10V

Boîtier du fournisseur

PowerPAK® SO-8 Dual

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

60V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

-

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

3A, 3.2A