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SI7501DN-T1-E3
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
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SI7501DN-T1-E3

MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8


fabricant: Vishay / Siliconix

Fiche technique: SI7501DN-T1-E3

prix:

USD $0.1

Stock: 41 pcs

Paramètre produit

série
TrenchFET®
Type FET
N and P-Channel, Common Drain
emballage
Digi-Reel®
Domaine d’action prioritaire
Logic Level Gate
Statut partiel
Obsolete
Puissance - Max
1.6W
Type de montage
Surface Mount
Paquet/dossier
PowerPAK® 1212-8 Dual
Numéro de Base
SI7501
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 7.7A, 10V
Boîtier du fournisseur
PowerPAK® 1212-8 Dual
Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Tension du Drain vers la Source (Vdss)
30V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max
-
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
5.4A, 4.5A

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