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SI5902DC-T1-E3
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
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SI5902DC-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8


fabricant: Vishay / Siliconix

Fiche technique: SI5902DC-T1-E3

prix:

USD $0.65

Stock: 22 pcs

Paramètre produit

série
TrenchFET®
Type FET
2 N-Channel (Dual)
emballage
Digi-Reel®
Domaine d’action prioritaire
Logic Level Gate
Statut partiel
Obsolete
Puissance - Max
1.1W
Type de montage
Surface Mount
Paquet/dossier
8-SMD, Flat Lead
Numéro de Base
SI5902
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA (Min)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 2.9A, 10V
Boîtier du fournisseur
1206-8 ChipFET™
Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 10V
Tension du Drain vers la Source (Vdss)
30V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max
-
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
2.9A

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