SI5902BDC-T1-GE3

Paramètre produit

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série

TrenchFET®

Type FET

2 N-Channel (Dual)

emballage

Digi-Reel®

Domaine d’action prioritaire

Logic Level Gate

Statut partiel

Active

Puissance - Max

3.12W

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

8-SMD, Flat Lead

Numéro de Base

SI5902

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 3.1A, 10V

Boîtier du fournisseur

1206-8 ChipFET™

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

30V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

220pF @ 15V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

4A