SI4562DY-T1-E3

Paramètre produit

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série

TrenchFET®

Type FET

N and P-Channel

emballage

Tape & Reel (TR)

Domaine d’action prioritaire

Logic Level Gate

Statut partiel

Obsolete

Puissance - Max

2W

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Numéro de Base

SI4562

Vgs(th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 7.1A, 4.5V

Boîtier du fournisseur

8-SO

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 4.5V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

20V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

-

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

-