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SI4501ADY-T1-GE3
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
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SI4501ADY-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC


fabricant: Vishay / Siliconix

Fiche technique: SI4501ADY-T1-GE3

prix:

USD $0.63

Stock: 55 pcs

Paramètre produit

série
TrenchFET®
Type FET
N and P-Channel, Common Drain
emballage
Digi-Reel®
Domaine d’action prioritaire
Logic Level Gate
Statut partiel
Obsolete
Puissance - Max
1.3W
Type de montage
Surface Mount
Paquet/dossier
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de Base
SI4501
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 250µA
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 8.8A, 10V
Boîtier du fournisseur
8-SO
Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 5V
Tension du Drain vers la Source (Vdss)
30V, 8V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max
-
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
6.3A, 4.1A

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