SI4532CDY-T1-GE3

Paramètre produit

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série

TrenchFET®

Type FET

N and P-Channel

emballage

Tape & Reel (TR)

Domaine d’action prioritaire

Standard

Statut partiel

Active

Puissance - Max

2.78W

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Numéro de Base

SI4532

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

47mOhm @ 3.5A, 10V

Boîtier du fournisseur

8-SO

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

30V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

305pF @ 15V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

6A, 4.3A