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TK65E10N1,S1X
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
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TK65E10N1,S1X

MOSFET N CH 100V 148A TO220


fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Fiche technique: TK65E10N1,S1X

prix:

USD $2.53

Stock: 3359 pcs

Paramètre produit

série
U-MOSVIII-H
Type FET
N-Channel
emballage
Tube
Vgs (Max)
±20V
technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Domaine d’action prioritaire
-
Statut partiel
Active
Type de montage
Through Hole
Paquet/dossier
TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.8mOhm @ 32.5A, 10V
Dissipation de puissance (Max)
192W (Tc)
Boîtier du fournisseur
TO-220
Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs
81nC @ 10V
Tension du Drain vers la Source (Vdss)
100V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max
5400pF @ 50V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
148A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V

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