TK650A60F,S4X

Paramètre produit

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série

U-MOSIX

Type FET

N-Channel

emballage

Tube

Vgs (Max)

±30V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Active

Type de montage

Through Hole

Paquet/dossier

TO-220-3 Full Pack

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1.16mA

Température de fonctionnement

150°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

650mOhm @ 5.5A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

45W (Tc)

Boîtier du fournisseur

TO-220SIS

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

600V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

1320pF @ 300V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

11A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V