2N7000

Paramètre produit

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série

STripFET™

Type FET

N-Channel

emballage

Bulk

Vgs (Max)

±18V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Obsolete

Type de montage

Through Hole

Paquet/dossier

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Numéro de Base

2N70

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Dissipation de puissance (Max)

1W (Tc)

Boîtier du fournisseur

TO-92-3

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 5V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

60V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

43pF @ 25V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

350mA (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V