2N7000-D26Z

Paramètre produit

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série

-

Type FET

N-Channel

emballage

Cut Tape (CT)

Vgs (Max)

±20V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Active

Type de montage

Through Hole

Paquet/dossier

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Numéro de Base

2N7000

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Dissipation de puissance (Max)

400mW (Ta)

Boîtier du fournisseur

TO-92-3

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

60V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

50pF @ 25V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

200mA (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V