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RF081M2STR
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
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RF081M2STR

DIODE GEN PURP 200V 800MA PMDU


fabricant: ROHM Semiconductor

Fiche technique: RF081M2STR

prix:

USD $0.99

Stock: 8 pcs

Paramètre produit

vitesse
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
série
-
emballage
Cut Tape (CT)
Type de diodes
Standard
Statut partiel
Discontinued at Digi-Key
Type de montage
Surface Mount
Paquet/dossier
SOD-123
Numéro de Base
RF081M2S
Capacité au Vr, F
-
Boîtier du fournisseur
PMDU
Temps de récupération inverse (TRR)
25ns
Courant - fuite inverse à Vr
10µA @ 200V
Inversion du courant continu (Vr) (Max)
200V
Courant - moyenne rectifiée (Io)
800mA
Température de fonctionnement - jonction
150°C (Max)
Tension à l’avant (Vf) (Max) @ If
950mV @ 800mA

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