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RF081L2STE25
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
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RF081L2STE25

DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS


fabricant: ROHM Semiconductor

Fiche technique: RF081L2STE25

prix:

USD $0.52

Stock: 1051 pcs

Paramètre produit

vitesse
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
série
-
emballage
Digi-Reel®
Type de diodes
Standard
Statut partiel
Not For New Designs
Type de montage
Surface Mount
Paquet/dossier
DO-214AC, SMA
Numéro de Base
RF081L2S
Capacité au Vr, F
-
Boîtier du fournisseur
PMDS
Temps de récupération inverse (TRR)
25ns
Courant - fuite inverse à Vr
10µA @ 200V
Inversion du courant continu (Vr) (Max)
200V
Courant - moyenne rectifiée (Io)
1A
Température de fonctionnement - jonction
150°C (Max)
Tension à l’avant (Vf) (Max) @ If
980mV @ 1.1A

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