R6507ENJTL

Paramètre produit

---

série

-

Type FET

N-Channel

emballage

Digi-Reel®

Vgs (Max)

±20V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Active

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 200µA

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

665mOhm @ 2.4A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

78W (Tc)

Boîtier du fournisseur

LPTS

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

650V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

390pF @ 25V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

7A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V