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R6504ENJTL

NCH 650V 4A POWER MOSFET. R6504


fabricant: ROHM Semiconductor

Fiche technique: R6504ENJTL

prix:

USD $0.76

Stock: 81 pcs

Paramètre produit

série
-
Type FET
N-Channel
emballage
Digi-Reel®
Vgs (Max)
±20V
technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Domaine d’action prioritaire
-
Statut partiel
Active
Type de montage
Surface Mount
Paquet/dossier
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 130µA
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipation de puissance (Max)
58W (Tc)
Boîtier du fournisseur
LPTS
Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Tension du Drain vers la Source (Vdss)
650V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max
220pF @ 25V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V

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