IRLML6402TRPBF

Paramètre produit

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série

HEXFET®

Type FET

P-Channel

emballage

Digi-Reel®

Vgs (Max)

±12V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Active

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Vgs(th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 3.7A, 4.5V

Dissipation de puissance (Max)

1.3W (Ta)

Boîtier du fournisseur

Micro3™/SOT-23

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 5V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

20V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

633pF @ 10V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

3.7A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V