IRLM210ATF

Paramètre produit

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série

-

Type FET

N-Channel

emballage

Tape & Reel (TR)

Vgs (Max)

±20V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Obsolete

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

TO-261-4, TO-261AA

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 390mA, 5V

Dissipation de puissance (Max)

1.8W (Tc)

Boîtier du fournisseur

SOT-223-4

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 5V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

200V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

240pF @ 25V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

770mA (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

5V