IXBT42N170

Paramètre produit

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série

BIMOSFET™

Type IGBT

-

emballage

Tube

entrée

Standard

Taxe d’entrée

188nC

Statut partiel

Active

Puissance - Max

360W

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Conditions d’essai

-

Numéro de Base

IXB*42N170

Transfert d’énergie

-

Td (on/off) @ 25°C

-

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Boîtier du fournisseur

TO-268

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 42A

Temps de récupération inverse (TRR)

1.32µs

Courant collecteur (Ic) (Max)

80A

Courant pulsé par le collecteur (Icm)

300A

Rupture de l’émetteur du collecteur (Max)

1700V