IXBT10N170

Paramètre produit

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série

BIMOSFET™

Type IGBT

-

emballage

Tube

entrée

Standard

Taxe d’entrée

30nC

Statut partiel

Active

Puissance - Max

140W

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Conditions d’essai

1360V, 10A, 56Ohm, 15V

Transfert d’énergie

6mJ (off)

Td (on/off) @ 25°C

35ns/500ns

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Boîtier du fournisseur

TO-268

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

3.8V @ 15V, 10A

Temps de récupération inverse (TRR)

360ns

Courant collecteur (Ic) (Max)

20A

Courant pulsé par le collecteur (Icm)

40A

Rupture de l’émetteur du collecteur (Max)

1700V