DGD2190S8-13

Paramètre produit

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série

-

Type de porte

IGBT, N-Channel MOSFET

emballage

Cut Tape (CT)

entrée

Non-Inverting

Statut partiel

Discontinued at Digi-Key

Type de canal

Independent

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Tension d’alimentation

10V ~ 20V

Nombre de conducteurs

2

Configuration poussée

Half-Bridge

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

Temps de montée/chute (Typ)

25ns, 20ns

Boîtier du fournisseur

8-SO

La tension logique — VIL, VIH

0.8V, 2.5V

Haute tension latérale - Max (Bootstrap)

600V

Production de pointe (Source, puits)

4.5A, 4.5A