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DGD2012S8-13
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
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DGD2012S8-13

IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8SO 2.5K


fabricant: Diodes Incorporated

Fiche technique: DGD2012S8-13

prix:

USD $0.88

Stock: 2485 pcs

Paramètre produit

série
-
Type de porte
N-Channel MOSFET
emballage
Digi-Reel®
entrée
Non-Inverting
Statut partiel
Active
Type de canal
Independent
Type de montage
Surface Mount
Paquet/dossier
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tension d’alimentation
10V ~ 20V
Nombre de conducteurs
2
Configuration poussée
Half-Bridge
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Temps de montée/chute (Typ)
40ns, 20ns
Boîtier du fournisseur
8-SO
La tension logique — VIL, VIH
0.8V, 2.5V
Haute tension latérale - Max (Bootstrap)
200V
Production de pointe (Source, puits)
1.9A, 2.3A

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