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BYV415K-600PQ
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
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BYV415K-600PQ

DIODE GEN PURP 600V 15A TO3P


fabricant: WeEn Semiconductors

Fiche technique: BYV415K-600PQ

prix:

USD $0.05

Stock: 97 pcs

Paramètre produit

vitesse
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
série
-
emballage
Tube
Type de diodes
Standard
Statut partiel
Active
Type de montage
Through Hole
Paquet/dossier
TO-3P-3, SC-65-3
Configuration des diodes
1 Pair Common Cathode
Boîtier du fournisseur
TO-3P
Temps de récupération inverse (TRR)
45ns
Courant - fuite inverse à Vr
10µA @ 600V
Inversion du courant continu (Vr) (Max)
600V
Température de fonctionnement - jonction
-65°C ~ 175°C
Tension à l’avant (Vf) (Max) @ If
2.1V @ 15A
Courant - moyenne rectifiée (10) (par Diode)
15A

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