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SQJ912BEP-T1_GE3
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
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SQJ912BEP-T1_GE3

MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L


fabricant: Vishay / Siliconix

Fiche technique: SQJ912BEP-T1_GE3

prix:

USD $0.55

Stock: 3000 pcs

Paramètre produit

série
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Type FET
2 N-Channel (Dual)
emballage
Digi-Reel®
Domaine d’action prioritaire
Standard
Statut partiel
Active
Puissance - Max
48W (Tc)
Type de montage
Surface Mount
Paquet/dossier
PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 9A, 10V
Boîtier du fournisseur
PowerPAK® SO-8 Dual
Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Tension du Drain vers la Source (Vdss)
40V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max
3000pF @ 25V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
30A (Tc)

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