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SI9934BDY-T1-GE3
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
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SI9934BDY-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8SOIC


fabricant: Vishay / Siliconix

Fiche technique: SI9934BDY-T1-GE3

prix:

USD $0.09

Stock: 31 pcs

Paramètre produit

série
TrenchFET®
Type FET
2 P-Channel (Dual)
emballage
Digi-Reel®
Domaine d’action prioritaire
Logic Level Gate
Statut partiel
Obsolete
Puissance - Max
1.1W
Type de montage
Surface Mount
Paquet/dossier
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de Base
SI9934
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 6.4A, 4.5V
Boîtier du fournisseur
8-SO
Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Tension du Drain vers la Source (Vdss)
12V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max
-
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
4.8A

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