SI8900EDB-T2-E1

Paramètre produit

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série

TrenchFET®

Type FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

emballage

Tape & Reel (TR)

Domaine d’action prioritaire

Logic Level Gate

Statut partiel

Active

Puissance - Max

1W

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

10-UFBGA, CSPBGA

Numéro de Base

SI8900

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 1.1mA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Boîtier du fournisseur

10-Micro Foot™ CSP (2x5)

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

-

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

20V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

-

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

5.4A