SI7983DP-T1-GE3

Paramètre produit

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série

TrenchFET®

Type FET

2 P-Channel (Dual)

emballage

Tape & Reel (TR)

Domaine d’action prioritaire

Logic Level Gate

Statut partiel

Obsolete

Puissance - Max

1.4W

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

PowerPAK® SO-8 Dual

Numéro de Base

SI7983

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 600µA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 12A, 4.5V

Boîtier du fournisseur

PowerPAK® SO-8 Dual

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

74nC @ 4.5V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

20V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

-

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

7.7A