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SI6969BDQ-T1-E3
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
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SI6969BDQ-T1-E3

MOSFET 2P-CH 12V 4A 8TSSOP


fabricant: Vishay / Siliconix

Fiche technique: SI6969BDQ-T1-E3

prix:

USD $0.85

Stock: 70 pcs

Paramètre produit

série
TrenchFET®
Type FET
2 P-Channel (Dual)
emballage
Digi-Reel®
Domaine d’action prioritaire
Logic Level Gate
Statut partiel
Obsolete
Puissance - Max
830mW
Type de montage
Surface Mount
Paquet/dossier
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Numéro de Base
SI6969
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 4.6A, 4.5V
Boîtier du fournisseur
8-TSSOP
Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 4.5V
Tension du Drain vers la Source (Vdss)
12V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max
-
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
4A

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