SI6926ADQ-T1-E3

Paramètre produit

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série

-

Type FET

2 N-Channel (Dual)

emballage

Cut Tape (CT)

Domaine d’action prioritaire

Logic Level Gate

Statut partiel

Active

Puissance - Max

830mW

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Numéro de Base

SI6926

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 4.5A, 4.5V

Boîtier du fournisseur

8-TSSOP

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 4.5V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

20V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

-

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

4.1A