SI6562CDQ-T1-GE3

Paramètre produit

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série

TrenchFET®

Type FET

N and P-Channel

emballage

Digi-Reel®

Domaine d’action prioritaire

Logic Level Gate

Statut partiel

Active

Puissance - Max

1.6W, 1.7W

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Numéro de Base

SI6562

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 5.7A, 4.5V

Boîtier du fournisseur

8-TSSOP

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

20V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

850pF @ 10V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

6.7A, 6.1A