SI4800BDY-T1-E3

Paramètre produit

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série

TrenchFET®

Type FET

N-Channel

emballage

Digi-Reel®

Vgs (Max)

±25V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Active

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Vgs(th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18.5mOhm @ 9A, 10V

Dissipation de puissance (Max)

1.3W (Ta)

Boîtier du fournisseur

8-SO

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 5V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

6.5A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V