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SI4310BDY-T1-E3
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
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SI4310BDY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 14SOIC


fabricant: Vishay / Siliconix

Fiche technique: SI4310BDY-T1-E3

prix:

USD $0.59

Stock: 92 pcs

Paramètre produit

série
TrenchFET®
Type FET
2 N-Channel (Dual)
emballage
Tape & Reel (TR)
Domaine d’action prioritaire
Logic Level Gate
Statut partiel
Obsolete
Puissance - Max
1.14W, 1.47W
Type de montage
Surface Mount
Paquet/dossier
14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 10A, 10V
Boîtier du fournisseur
14-SOIC
Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 4.5V
Tension du Drain vers la Source (Vdss)
30V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max
2370pF @ 15V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
7.5A, 9.8A

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