SI4200DY-T1-GE3

Paramètre produit

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série

TrenchFET®

Type FET

2 N-Channel (Dual)

emballage

Digi-Reel®

Domaine d’action prioritaire

Logic Level Gate

Statut partiel

Obsolete

Puissance - Max

2.8W

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 7.3A, 10V

Boîtier du fournisseur

8-SO

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

25V

Capacité d’entrée (Ciss) (Max

415pF @ 13V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

8A