Menu Navigation

SI3905DV-T1-GE3
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
thumb-0

SI3905DV-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP


fabricant: Vishay / Siliconix

Fiche technique: SI3905DV-T1-GE3

prix:

USD $0.81

Stock: 35 pcs

Paramètre produit

série
TrenchFET®
Type FET
2 P-Channel (Dual)
emballage
Tape & Reel (TR)
Domaine d’action prioritaire
Logic Level Gate
Statut partiel
Obsolete
Puissance - Max
1.15W
Type de montage
Surface Mount
Paquet/dossier
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 2.5A, 4.5V
Boîtier du fournisseur
6-TSOP
Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Tension du Drain vers la Source (Vdss)
8V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max
-
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
-

Vous pourriez aussi être intéressé