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SI3588DV-T1-E3
Les Images ne sont que des références. Voir spécifications du produit pour plus de détails
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SI3588DV-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP


fabricant: Vishay / Siliconix

Fiche technique: SI3588DV-T1-E3

prix:

USD $0.48

Stock: 38 pcs

Paramètre produit

série
TrenchFET®
Type FET
N and P-Channel
emballage
Digi-Reel®
Domaine d’action prioritaire
Logic Level Gate
Statut partiel
Obsolete
Puissance - Max
830mW, 83mW
Type de montage
Surface Mount
Paquet/dossier
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numéro de Base
SI3588
Vgs(th) (Max) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 3A, 4.5V
Boîtier du fournisseur
6-TSOP
Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
Tension du Drain vers la Source (Vdss)
20V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max
-
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
2.5A, 570mA

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