SI2302DDS-T1-GE3

Paramètre produit

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série

TrenchFET®

Type FET

N-Channel

emballage

Digi-Reel®

Vgs (Max)

±8V

technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Domaine d’action prioritaire

-

Statut partiel

Active

Type de montage

Surface Mount

Paquet/dossier

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Vgs(th) (Max) @ Id

850mV @ 250µA

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

57mOhm @ 3.6A, 4.5V

Dissipation de puissance (Max)

710mW (Ta)

Boîtier du fournisseur

SOT-23-3 (TO-236)

Charge d’entrée (Qg) (Max) @ Vgs

5.5nC @ 4.5V

Tension du Drain vers la Source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C

2.9A (Tj)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V