DG2517EDN-T1-GE4

Paramètre produit

---

série

-

croisement

-62dB @ 1MHz

emballage

Cut Tape (CT)

Statut partiel

Active

- bande passante 3db

221MHz

Paquet/dossier

10-VFDFN Exposed Pad

Circuit de commutation

SPDT

Injection de Charge

-19.4pC

Nombre de Circuits

2

Température de fonctionnement

-40°C ~ 85°C (TA)

Boîtier du fournisseur

10-DFN (3x3)

Résistance à l’état (Max)

3.1Ohm

Tension d’alimentation, double (V±)

-

Temps de commutation (t, t) (Max)

40ns, 33ns

Tension d’alimentation unique (V+)

1.8V ~ 5.5V

Courant - fuite (IS(off)) (Max)

-

Circuit multiplexeur/démultiplexeur

2:1

Correspondance canal à canal (canal à canal)

10mOhm

Capacité des canaux (CS(off), CD(off))

-